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產(chǎn)品展示

產(chǎn)品名稱:TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

產(chǎn)品型號:

產(chǎn)品報價:20000

產(chǎn)品特點:TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀用于精密測量各種高壓電氣設備的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ與電容量Cx,可鑒別電氣絕緣設備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關、避雷器等設備的介質(zhì)損耗和電容量測量。

TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀的詳細資料:

TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀
用于精密測量各種高壓電氣設備的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ與電容量Cx,可鑒別電氣絕緣設備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關、避雷器等設備的介質(zhì)損耗和電容量測量。TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是國內(nèi)*高壓電纜拖地使用對反接測試數(shù)據(jù)無影響的介損測試類儀器,并*采用了第四代抗干擾技術:“全自動反干擾源”。成功解決了普通介損測試儀現(xiàn)場使用抗干擾能力差、反接法測試數(shù)據(jù)不準等問題。

 

TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀

產(chǎn)品特性

(1) *采用第四代抗干擾技術“全自動反干擾源”,在保證抗干擾效果的同時測試值的等效性優(yōu)于“異頻法”。

(2) 國內(nèi)*實現(xiàn)從高壓插座到高壓導線全絕緣的介損測試儀。高壓導線不僅能直接拖地使用,而且消除了反接測試時導線泄漏電流對測試結果的影響。10kV輸出時,對地無放電、無泄漏、無聲響。
(3) 國內(nèi)*實現(xiàn)接地試品和非接地試品采用相同接線,避免因不同接線方式引起的接線誤差。
(4) 采用多重屏蔽系統(tǒng),配合“反干擾源”和精密數(shù)學模型,儀器具有很高的測試精度,并且測試數(shù)據(jù)重復性*
(5)通過內(nèi)置的JTAG在線編程接口,可實現(xiàn)設備在現(xiàn)場不拆機升級。

TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀
技術參數(shù)
工作電源電壓:AC220V±10% 頻率:50Hz±1Hz
使用環(huán)境環(huán)境溫度:-10℃~40℃ 相對濕度:≤80%
外形尺寸長390mm*寬290mm*高320mm
質(zhì)量20Kg
測試工作方式正接法 反接法 抗干擾正接法 抗干擾反接法
輸出功率1.5KVA
電容測量范圍10KV: 0~40000pF
<5KV: 0~0.1μF
電容z·ui小分辨率0.001pF
電容精度正接 ±(2%讀數(shù)+2pF)
反接 ±(2%讀數(shù)+10pF)
介損測量范圍0~50%
介損測量精度
測試內(nèi)容電容量范圍(Cx)試品類型基本誤差
介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ100pF~40000pF非接地±(2%讀數(shù)+0.0005)
接地±(2%讀數(shù)+0.0010)
10pF~100pF或40000pF以上非接地±(2%讀數(shù)+0.0010)
接地±(2%讀數(shù)+0.0020)
3pF~10pF非接地與接地

 

 

 

TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀
高壓測試線 
 
一頭為線夾,一頭為高壓插頭,用于將高壓引至被試品,采用高性能絕緣導線制成.可拖地使用.使用前請將高壓插頭及線夾接牢靠.
 
高壓測試線 
 
一頭為紅、黑兩只線夾,一頭為航插。紅色線夾接Cx,黑色線夾接屏蔽,用于取得沒有干擾的測試信號。
 
電源線 
 
黑色通用電源線,用于給儀器提供電源
 
接地線 
 
黃綠相交10米接地線,一頭為金屬插針,一頭為夾子,用于儀器與地網(wǎng)連接,使儀器接地,儀器使用前,請接好地線
 
打印紙2卷 
 
打印紙,安裝與打印機內(nèi),是儀器打印的必須耗材,隨機符帶兩卷
 
保險管(10A)2只 
 
保險管,安裝與儀器電源插座內(nèi)或儀器面板保險盒內(nèi),防止因誤操作引起的大電流損壞儀器。當儀器不能正常工作時,可檢查保險管是否溶斷。
測試圖例
套管
帶末屏的電容式套管,如裝于大型變壓器的電流互感器套管。
(1)測量C1采用正接法測量接線及其等值原理圖如下圖所示:
(2)測量C2采用反接法,為了消除高壓端對地的雜散電容,可將TE2000 屏蔽端接到C1上端,接線及其等值原理圖如下圖所示:
電壓互感器
(1)全絕緣式電壓互感器
將高壓側及低壓側分別短路,其測量接線及其原理圖如下圖所示:
全絕緣式電壓互感器
(2)串級式電壓互感器
采用串級式電壓互感器,一般采用首端加壓法。這種試品也可以采用常規(guī)方法,但試驗電壓為2.5KV左右。接線及其等值原理圖如下圖所示:
試品試驗方法高壓測量屏蔽接地
CAB正接法AB或B1
CN反接法AB及X
CAB+CH反接法AB及B1
全絕緣式電壓互感器
電力變壓器
(1)雙線圈變壓器接線方法如下圖所示:
(2)三線圈變壓器接線方法如下圖所示:
試品試驗方法高壓測量屏蔽接地
C1反接法高壓線圈中壓、低壓線圈
C2反接法中壓線圈高壓、低壓線圈
C3反接法低壓線圈高壓、中壓線圈
C12正接法高壓線圈中壓線圈低壓線圈
C23正接法中壓線圈低壓線圈高壓線圈
C13正接法低壓線圈高壓線圈中壓線圈
三線圈變壓器
電容器
電容式分壓互感器接線圖如下圖所示:
試品試驗方法高壓測量屏蔽接地
C1正接法AB----
C2反接法AC-- 
電力變壓器繞組的tgδ
1)1~3年或自行規(guī)定
2)大修后
3)必要時
1)20℃時tgδ不大于下列數(shù)值:
330~500kV 0.6%
66~220kV 0.8%
35kV及以下 1.5%
2)tgδ值與歷年的數(shù)值比較不應有顯著變化(一般不大于30%)
3)試驗電壓如下:
繞組電壓10kV及以上 10kV
繞組電壓10kV以下 Un
4)用M型試驗器時試驗電壓自行規(guī)定
1)非被試繞組應接地或屏蔽
2) 同一變壓器各繞組tgδ的要求值相同
3)測量溫度以頂層油溫為準,盡量使每次測量的溫度相近
4)盡量在油溫低于50℃時測量,不同溫度下的tgδ值一般可按下式換算
tgδ2=tgδ1×1.3(t2-t1)/10
式中tgδ1、tgδ2分別為溫度t1、t2時的tgδ值
電流互感器的tgδ及電容量
1)投運前
2)1~3年
3)大修后
4)必要時
1)主絕緣tgδ(%)不應大于下表中的數(shù)值,且與歷年數(shù)據(jù)比較,不應有顯著變化:
電壓等級kV20~3566~110220330~500
大修后油紙電容型
充油型
膠紙電容型

3.0
2.5
1.0
2.0
2.0
0.7

0.6

運行中油紙電容型
充油型
膠紙電容型

3.5
3.0
1.0
2.5
2.5
0.6

0.7

2)電容型電流互感器主絕緣電容量與初始值或出廠值差別超出±5%范圍時應查明原因
3)當電容型電流互感器末屏對地絕緣電阻小于1000MΩ時,應測量末屏對地tgδ,其值不大于2%
1)主絕緣tgδ試驗電壓為10kV,末屏對地tgδ試驗電壓為2kV
2)油紙電容型tgδ一般不進行溫度換算,當tgδ值與出廠值或上一次試驗值比較有明顯增長時,應綜合分析tgδ與溫度、電壓的關系,當tgδ隨溫度明顯變化或試驗電壓由10kV升到Um/√3 時,tgδ增量超過±0.3%,不應繼續(xù)運行
3)固體絕緣互感器可不進行tgδ測量
電磁式電壓互感器的tgδ(20kV及以上)
1)繞組絕緣:
a)1~3年
b)大修后
c)必要時
2)66~220kV串級式電壓互感器支架:
a)投運前
b)大修后
c)必要時
1)繞組絕緣tgδ(%)不應大于下表中數(shù)值:
溫度℃510203040
35kV及以下大修后1.52.53.05.07.0
運行中2.02.53.55.58.0
35kV以上大修后1.01.52.03.55.0
運行中1.52.02.54.05.5
2)支架絕緣tgδ一般不大于6%
串級式電壓互感器的tgδ試驗方法建議采用末端屏蔽法,其它試驗方法與要求自行規(guī)定
電容式電壓互感器的中間變壓器的tgδ
1)大修后
2)必要時
與初始值相比不應有顯著變化 
SF6斷路器和GIS的斷口間并聯(lián)電容器的絕緣電阻、電容量和tgδ
1)1~3年
2)大修后
3)必要時
1)對瓷柱式斷路器和斷口同時測量,測得的電容值和tgδ與原始值比較,應無明顯變化
2)罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)按制造廠規(guī)定
3)單節(jié)電容器按斷路器電容器規(guī)定
1)大修時,對瓷柱式斷路器應測量電容器和斷口并聯(lián)后整體的電容值和tgδ,作為該設備的原始數(shù)據(jù)
2)對罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)必要時進行試驗,試驗方法按制造廠規(guī)定
多油斷路器和少油斷路器40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tgδ
1)1~3年
2)大修后
1)20℃時多油斷路器的非純瓷套管的tgδ(%)值見表20
2)20℃時非純瓷套管斷路器的tgδ(%)值,可比表20中相應的tgδ(%)值增加下列數(shù)值:
額定電壓kV≥126<12640.5(DW1—35DW1—35D)
gδ(%)值的增加數(shù)123
1)在分閘狀態(tài)下按每支套管進行測量。測量的tgδ超過規(guī)定值或有顯著增大時,必須落下油箱進行分解試驗。對不能落下油箱的斷路器,則應將油放出,使套管下部及滅弧室露出油面,然后進行分解試驗
2)斷路器大修而套管不大修時,應按套管運行中規(guī)定的相應數(shù)值增加
3)帶并聯(lián)電阻斷路器的整體tgδ(%)可相應增加1
多油斷路器和少油斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻值,并聯(lián)電容器的電容量和tgδ
1)大修后
2)必要時
1)并聯(lián)電阻值應符合制造廠規(guī)定
2)并聯(lián)電容器按下方高壓并聯(lián)電容器規(guī)定
 
空氣斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻,均壓電容器的電容量和tgδ
1)大修后1)并聯(lián)電阻值符合制造廠規(guī)定
2)均壓電容器按斷路器電容器規(guī)定
 
套管的主絕緣及電容型套管對地末屏tgδ與電容量
1)1~3年
2)大修(包括主設備大修)后
3)必要時
1)20℃時的tgδ(%)值應不大于下表中數(shù)值:

電壓等級kV

20~3566~110220~500
大修后充油型3.01.5
油紙電容型1.01.00.8
充膠型3.02.0
膠紙電容型2.01.51.0
膠紙型2.52.0
運行中充油型3.51.5
油紙電容型1.01.00.8
充膠型3.52.0
膠紙電容型3.01.51.0
膠紙型3.52.0
2)當電容型套管末屏對地絕緣電阻小于1000MΩ時,應測量末屏對地tgδ,其值不大于2%
3)電容型套管的電容值與出廠值或上一次試驗值的差別超出±5%時,應查明原因
1)油紙電容型套管的tgδ一般不進行溫度換算,當tgδ與出廠值或上一次測試值比較有明顯增長或接近左表數(shù)值時,應綜合分析tgδ與溫度、電壓的關系。當tgδ隨溫度增加明顯增大或試驗電壓由10kV升到Um/√3 時,tgδ增量超過±0.3%,不應繼續(xù)運行
2)20kV以下純瓷套管及與變壓器油連通的油壓式套管不測tgδ
3)測量變壓器套管tgδ時,與被試套管相連的所有繞組端子連在一起加壓,其余繞組端子均接地,末屏接電橋,正接線測量
高壓并聯(lián)電容器、串聯(lián)電容器和交流濾波電容器的電容值
1)投運后1年內(nèi)
2)1~5年
1)電容值偏差不超出額定值的-5%~+10%范圍
2)電容值不應小于出廠值的95%
用電橋法或電流電壓法測量
耦合電容器和電容式電壓互感器的電容分壓器的tgδ
1)投運后1年內(nèi)
2)1~3年
10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值:
油紙絕緣 0.005
膜紙復合絕緣 0.002
1)當tgδ值不符合要求時,可在額定電壓下復測,復測值如符合10kV下的要求,可繼續(xù)投運
2)電容式電壓互感器低壓電容的試驗電壓值自定
斷路器電容器的電容值
1)1~3年
2)斷路器大修后
電容值偏差應在額定值的±5%范圍內(nèi)用電橋法
斷路器電容器的tgδ
1)1~3年
2)斷路器大修后
10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值:
油紙絕緣 0.005
膜紙復合絕緣 0.0025
 
集合式電容器的電容值
1)投運后1年內(nèi)
2)1~5年
3)吊芯修理后
1)每相電容值偏差應在額定值的-5%~+10%的范圍內(nèi),且電容值不小于出廠值 的96%
2)三相中每兩線路端子間測得的電容值的z·ui大值與z·ui小值之比不大于1.06
3)每相用三個套管引出的電容器組,應測量每兩個套管之間的電容量,其值與出廠值相差在±5%范圍內(nèi)
 
串聯(lián)電抗器的繞組tgδ
1)大修后
2)必要時
20℃下的tgδ(%)值不大于:
35kV及以下 3.5
66kV 2.5
僅對800kvar以上的油浸鐵芯電抗器進行
放電線圈的繞組的tgδ
1)大修后
2)必要時
參照電磁式電壓互感器
同步發(fā)電機、調(diào)相機定子繞組瀝青云母和烘卷云母絕緣老化鑒定試驗項目和要求
整相繞組(或分支)及單根線棒的tgδ增量(Δtgδ)1)主絕緣tgδ(%)不應大于下表中的數(shù)值,且與歷年數(shù)據(jù)比較,不應有顯著變化:
定子電壓等級kVΔtgδ%
66.5
106.5
Δtgδ(%)值指額定電壓下和起始游離電壓下tgδ(%)之差值。對于6kV及10kV電壓等級,起始游離電壓分別取3kV和4kV
2)定子電壓為6kV和10kV的單根線棒在兩個不同電壓下的Δtgδ(%)值不大于下列值:
1.5Un和0.5Un相鄰0.2Un電壓間隔;0.8Un和0.2Un
112.53.5
凡現(xiàn)場條件具備者,z·ui高試驗電壓可選擇1.5Un;否則也可選擇(0.8~1.0)Un。相鄰0.2Un電壓間隔值,即指1.0Un和0.8Un、0.8Un和0.6Un,0.6Un和0.4Un、0.4Un和0.2Un
1)在絕緣不受潮的狀態(tài)下進行試驗
2)槽外測量單根線棒tgδ時,線棒兩端應加屏蔽環(huán)
3)可在環(huán)境溫度下試驗


 

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